Para desarrollar memorias de computadora que puedan almacenar más datos que la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), los científicos están desarrollando una forma de chip de memoria llamado memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM). Los tipos comunes de memoria como DRAM y Flash usan cargas eléctricas para almacenar datos, pero RRAM usa resistencia para almacenar cada bit de información. La resistencia se cambia usando voltaje y, al ser también un tipo de memoria no volátil, los datos permanecen intactos incluso cuando no se aplica energía. Cada componente involucrado en la conmutación se encuentra entre dos electrodos y las características del chip de memoria son submicroscópicas.
Se necesitan incrementos muy pequeños de energía para almacenar datos en RRAM. Si bien generalmente incluye una capa de óxido metálico y una capa de cobertura, existen diferentes tipos de memoria resistiva que integran ciertos tipos de materiales. El tipo de material puede marcar la diferencia en cuanto al tiempo de acceso a la información, qué tan bien se retienen los datos y cuánto tiempo dura la memoria sin fallas. La cantidad de energía que se utiliza durante la operación también puede verse influenciada por el tipo de material de las capas.
Un tipo de RRAM utiliza óxido de titanio, que es un aislante. Un lado está mezclado con moléculas de oxígeno que pueden moverse hacia el otro lado si se enciende voltaje a través de la barrera. La conducción puede comenzar una vez con el estado del interruptor de la memoria encendido. Cuando las moléculas de oxígeno regresan al otro lado, la memoria vuelve al estado inactivo. Se necesitan fracciones de segundo para que se produzcan los ciclos de encendido y apagado.
Otro tipo de memoria resistiva alinea el óxido de titanio en tiras microscópicas horizontales entre cables conductores. La mayoría de los tipos de memoria organizan componentes similares en una disposición vertical. La resistencia podría controlarse en cada tira individual, y la capacidad de alterar la resistencia en diversos grados podría crear una capacidad de aprendizaje para los sistemas de memoria. Las empresas de electrónica continúan trabajando para desarrollar conceptos sobre cómo funcionará la memoria.
La memoria de cambio de fase es otro tipo que se está desarrollando junto con RRAM. También llamada memoria de acceso aleatorio de puente conductor (CBRAM), utiliza una gran cantidad de calor para cambiar las propiedades del material para alterar los estados de resistencia. Varios fabricantes de productos electrónicos se están enfocando en RRAM como un reemplazo viable de la memoria, como la DRAM, que es lo más pequeña posible para funcionar de manera eficiente.