Le transistor planaire a été inventé par Jean Hoerni en 1959. La conception du transistor planaire s’est améliorée par rapport aux conceptions antérieures en les rendant moins chères à fabriquer, produites en masse et meilleures pour amplifier l’entrée électrique. Le transistor planaire est construit en couches et peut avoir toutes ses connexions dans le même plan.
La première couche d’un transistor plan est une base de matériau semi-conducteur. De nombreuses impuretés s’ajoutent à cette base qui lui permettent d’être un meilleur conducteur. Une deuxième couche de semi-conducteur, avec moins d’impuretés, est ensuite placée sur la base. Une fois la deuxième couche en place, son centre est gravé, laissant des bords épais du deuxième matériau sur les côtés et une fine couche au-dessus de la base, sous la forme d’un bol carré.
Une section de matériau de polarité opposée aux deux couches initiales est ensuite placée dans le bol. Une fois de plus, le centre de cette couche est gravé pour former un bol plus petit. Un matériau similaire à la première couche du transistor plan est ensuite ajouté. Les deuxième, troisième et quatrième couches sont toutes affleurantes avec le dessus du transistor.
Les composants positifs et négatifs du semi-conducteur plan sont accessibles sur le même plan du dispositif. Des connecteurs métalliques peuvent être fixés au transistor une fois les composants en place, permettant à l’appareil de recevoir et d’émettre de l’électricité. Le transistor reçoit une entrée de la première couche et émet une sortie de la quatrième. La troisième couche est utilisée pour exécuter une charge dans le transistor afin qu’il puisse amplifier l’entrée.
Bien que la conception du dispositif soit un peu plus compliquée que celle des transistors précédents, de nombreux transistors planaires peuvent être fabriqués en même temps. Cela réduit le temps et, par la suite, l’argent nécessaire pour produire des transistors et a contribué à ouvrir la voie à une électronique plus abordable. Ces types de transistors peuvent également augmenter l’entrée à des niveaux plus élevés que les modèles de transistors antérieurs.
Dans les transistors antérieurs, la couche d’oxyde qui se forme naturellement à la surface du semi-conducteur était retirée du transistor pour éviter la contamination. Cela signifiait que les jonctions délicates entre les sections positive et négative du transistor devaient être exposées. La construction du transistor en couches, comme le prévoyait la conception de Hoerni, incorporait la couche d’oxyde comme élément protecteur pour les jonctions.