Un transistor es un semiconductor, que se diferencia de un tubo de vacío principalmente por el uso de una parte sólida que no se mueve para pasar una carga. Son componentes cruciales en prácticamente todos los componentes de la electrónica moderna y muchos los consideran el invento más importante de la era moderna (así como un heraldo de la era de la información).
El desarrollo del transistor surgió directamente de los enormes avances en la tecnología de diodos durante la Segunda Guerra Mundial. En 1947, los científicos de Bell Laboratories dieron a conocer el primer modelo funcional después de varios comienzos en falso y escollos tecnológicos.
El primer uso importante del transistor fue en audífonos, por el contratista militar Raytheon, inventores del horno microondas y productor de muchos misiles ampliamente utilizados, incluidos los misiles Sidewinder y Patriot.
La primera radio de transistores fue lanzada en 1954 por Texas Instruments y, a principios de la década de 1960, estas radios se habían convertido en un pilar del mercado mundial de la electrónica. También en la década de 1960, los transistores se integraron en chips de silicio, sentando las bases para la tecnología que eventualmente permitiría que las computadoras personales se convirtieran en una realidad. En 1956, Bill Shockley, Walter Brattain y John Bardee ganaron el Premio Nobel de Física por su desarrollo del transistor.
El tipo principal actualmente en uso se conoce como transistor de unión bipolar, que consta de tres capas de material semiconductor, dos de las cuales tienen electrones adicionales y una que tiene huecos. Los dos con electrones adicionales (tipo N) emparedan al que tiene espacios (tipo P). Esta configuración permite que el transistor sea un interruptor, cerrándose y abriéndose rápidamente como una puerta electrónica, permitiendo que el voltaje pase a una velocidad determinada. Si no está protegido de la luz, la luz se puede utilizar para abrir o cerrar la puerta, en cuyo caso se denomina fototransistor, que funciona como un fotodiodo de alta sensibilidad.
El tipo secundario se conoce como transistor de efecto de campo y consiste completamente en material semiconductor tipo N o material semiconductor tipo P, con la corriente controlada por la cantidad de voltaje que se le aplica.