El transistor plano fue inventado por Jean Hoerni en 1959. El diseño del transistor plano mejoró los diseños anteriores haciéndolos más baratos de fabricar, producibles en masa y mejores para amplificar la entrada eléctrica. El transistor plano está construido en capas y puede tener todas sus conexiones en el mismo plano.
La primera capa de un transistor plano es una base de material semiconductor. A esta base se le agregan muchas impurezas que le permiten ser un mejor conductor. Luego se coloca una segunda capa de semiconductor, con menos impurezas, encima de la base. Una vez que la segunda capa está en su lugar, se graba el centro, dejando bordes gruesos del segundo material alrededor de los lados y una capa delgada sobre la base, en forma de cuenco cuadrado.
Luego se coloca en el cuenco una sección de material de polaridad opuesta a las dos capas iniciales. Una vez más, el centro de esta capa se graba formando un cuenco más pequeño. Luego se agrega un material similar a la primera capa del transistor plano. La segunda, tercera y cuarta capas están todas alineadas con la parte superior del transistor.
Se accede a los componentes positivo y negativo del semiconductor plano en el mismo plano del dispositivo. Los conectores de metal se pueden conectar al transistor después de que los componentes estén en su lugar, lo que permite que el dispositivo reciba y emita electricidad. El transistor recibe entrada de la primera capa y emite salida de la cuarta. La tercera capa se usa para ejecutar una carga en el transistor para que pueda amplificar la entrada.
Aunque el diseño del dispositivo es un poco más complicado que los transistores anteriores, se pueden fabricar muchos transistores planos al mismo tiempo. Esto reduce la cantidad de tiempo y, posteriormente, el dinero necesario para producir transistores y ha ayudado a allanar el camino para la electrónica más asequible. Estos tipos de transistores también pueden aumentar la entrada a niveles más altos que los modelos anteriores de transistores.
En los transistores anteriores, la capa de óxido que se forma naturalmente en la superficie del semiconductor se eliminaba del transistor para evitar la contaminación. Esto significó que las delicadas uniones entre las secciones positiva y negativa del transistor tuvieron que ser expuestas. La construcción del transistor en capas, como requería el diseño de Hoerni, incorporó la capa de óxido como una característica protectora para las uniones.